خواص الکترونی 3 لایه ای گرافن/بورنیترید هگزاگونال/گرافن در حضور و عدم حضور میدان الکتریکی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم
- author علیرضا کاری
- adviser محمود رضایی رکن آبادی محمد بهدانی
- publication year 1392
abstract
در این پژوهش بر پایه نظریه تابعی چگالی و محاسبات اصول اولیه با استفاده از کد سایستا 3 لایه ای گرافن / بورنیترید هگزاگونال / گرافن را در غیاب هرگونه میدان خارجی مورد بررسی قرار داده ایم و انواع حالت های مختلف این 3 لایه ای را با یکدیگر مقایسه و حالت پایه را تعیین و خواص آن را بررسی کردیم. در ادامه اثر میدان الکتریکی خارجی را بر گاف انرژی این 3 لایه ای مورد بررسی قرار دادیم. در انتها نیز این 3 لایه ای را به عنوان یک خازن در میدان الکتریکی خارجی مورد بررسی قرار دادیم. تک لایه های گرافن و بورنیترید هگزاگونال از لحاظ گاف انرژی کاملا متفاوتند. ترکیب 3 لایه ای از این دو دارای خصوصیات و کاربردهای خوب و مناسبی می باشد. اعمال میدان الکتریکی گاف این 3 لایه ای را به صورت متناوب تغییر می دهد که این خاصیت در الکترونیک و وسایل صنعتی مورد استفاده قرار می گیرد. امروزه استفاده و ساخت ابرخازن های گرافنی کاری جدید و کاربردی برای پژوهشگران است. با استفاده از این 3 لایه ای به یک خازن با ظرفیت مناسب یا همان ابرخازن گرافنی دست یافته و ظرفیت آن را محاسبه نمودیم.
similar resources
بررسی خواص اپتیکی و هدایت گرمایی نانوتیوب‌های کربن آلاییده با نیتروژن در حضور میدان الکتریکی
The optical properties and thermal conductivity of carbon nanotubes in the presence of Nitrogen doping and electric field investigated via the Green's function method and tight binding approximation. The doping and external fields lead to modifications in the density of state (DOS), optical properties, electrical and thermal conductivity. The band gap decreases by the electric field until reach...
full textبررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول- Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش مییابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند
full textبررسی خواص ترابرد الکترونی دو نیم رسانای ga0.5in0.5sp و al0.26ga0.26in0.48 در حضور میدان های الکتریکی ضعیف
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر روی حذف آرسنیک از آب آشامیدنی در حضور و عدم حضور براده های آهن
امروزه در سراسر دنیا آلودگی آب‌های طبیعی به آرسنیک به یک مشکل زیست محیطی مهم تبدیل شده است. هدف از انجام این مطالعه بررسی دامنه ی تأثیر میدان مغناطیسی بر روی میزان حذف آرسنیک سه‌ظرفیتی (آرسنیت) از نمونه‌های آب آلوده در حضور و یا عدم حضور براده‌های آهن بود.این مطالعه از نوع مداخله‌ای می‌باشد. جامعه‌ی آماری شامل نمونه‌ها ی دارای غلظت آرسنیک 2 و 5/0 میلی گرم بر لیتر واکنش داده شده با براده‌ی آهن ...
full textتأثیر میدان الکتریکی بر خواص الکترونی و اپتیکی گرافن‌دولایه، بوروننیترید دولایه و دولایۀ گرافن/بوروننیترید
در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بوروننیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بوروننیترید با چینش AB بررسی کرده‌ایم. بررسی ما نشان میدهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترل‌پذیر می‌شود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافیندولایه، رابطۀ پاشندگی ا...
full textلایه نشانی نانو ساختاری اکسید روی در حضور میدان الکتریکی و مغناطیسی و بررسی خواص الکتریکی و حسگری گاز آن
در این پایان نامه، از شیوه ای نوین برای تولید نانو میله های zno بر روی زیرآیند شیشه استفتده شده است که تا کنون گزارش نشده است. ابتدا لایه های نازک zn در خلأ 10-^5 mbar در سه چیدمان مختلف لایه نشانی شد. در چیدمان اول، لایه ها در حضور میدان الکتریکی v/m000,10 لایه نشانی شد. در چیدمان دوم و سوم لایه ها در حضور میدان الکتریکی v/m000,10 و میدان مغناطیسی حاصل از یک و دو آهنربای نئودیمیوم تخت لایه نشا...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023